繁体中文  
 
版主:黑木崖
 · 九阳全新免清洗型豆浆机 全美最低
 
工信部首次公布光刻机参数,技术解读 zt
送交者:  2024年09月15日12:10:47 于 [世界军事论坛] 发送悄悄话

工信部首次公布光刻机参数,技术解读

1. 氟化氪、氟化氩光刻机,这是指光源KrF激光,ArF激光。ArF就是著名的193nm光源,这是所有DUV光刻机的标准光源波长。KrF波长是248nm,也很常用,但关注度低一些。这是首次公布DUV体系的光刻机参数。

2. 套刻<=8nm,这是对芯片制造技术不熟悉的群众容易出现误解的一个指标,如不少人直觉认为是“可以干到小于8nm”芯片制程。套刻的英文是overlay,重叠,指的是光罩(掩膜板,mask)成像对准的误差。芯片制造需要很多道工序,曝光可能要好几十次,要拿出上张mask,换下一张mask,前后两张mask最好完全定位对准完全一样,但做不到会有偏移误差,小于8nm就是会有一定的误差。

3. overlay的8nm套刻精度,和7nm芯片这个制程概念完全不是一回事。7nm、28nm、45nm芯片制程,直接定义是“晶体管栅极距离”,可以理解为晶圆上挖很多沟槽,沟的间距是28nm、7nm(实际可能是10nm,立体等效为7nm)这些级别。这和工作台挪动前后两个mask对准,不是一个难度。如果要做7nm芯片,套刻精度要小于3nm,如2.5nm,ASML的先进DUV光刻机是这个标准。

4. 晶圆直径300mm最简单,就是“12英寸”晶圆,还有8英寸的,这两种最常见,还有6英寸的。

5. 最关键的指标是“分辨率<=65nm”,这是指193nm波长在晶圆上成像的分辨率,大约是193nm约三分之一,不是巧合,是有光学公式背景的。这也说明,波长193nm没有玩花活,干式DUV光刻机。193nm波长的光,水里折射后变132nm,分辨率会进步。晶圆上加水的光刻机叫浸润式,immersion,型号就会是DUVi。干式可以进步变浸润式。

6. 这个ArF光刻机能加工的芯片,理论上应该是28nm。65nm分辨率还会用浸润式、OPC光学补偿、多重曝光等技术,能推进到28nm,而且性能提高、性价比特别好。28nm就成为传统芯片技术节点。

7. 那么这个最先进国产光刻机有没有实用量产28nm芯片?只能猜,我猜没有。因为现在28nm产线是用ASML光刻机,良率高,还没有被限制。良率很重要,低了芯片加工成本太高受不了。我猜这个光刻机在“良率爬坡”,也可能先试45nm芯片。等良率指标合格了,就可以进产线量产了,应该需要时间。

8. 往下怎么发展?套刻精度要继续进步到小于3nm,要加浸润式。更重要的是操作速度、配套软件,能不能0.1秒曝光一个芯片,一片晶圆一分钟光刻完事,慢了产能低。ASML光刻机那么多型号,就是这些指标不断进步。这是开发体系,建起来了,要耐心发展。如果三年后能大规模量产28nm芯片我就很开心了,什么时候能做7nm要观察。

500


0%(0)
0%(0)
标 题 (必选项):
内 容 (选填项):
实用资讯
北美最大最全的折扣机票网站
美国名厂保健品一级代理,花旗参,维他命,鱼油,卵磷脂,30天退货保证.买百免邮.
一周点击热帖 更多>>
一周回复热帖
历史上的今天:回复热帖
2023: 中国清华大学建了一个EUV光刻机厂(图)
2023: 不时看到有人宣扬改开之前的社会比改开
2022: 运20B 安装涡扇20大涵道比发动机 服役!
2022: 运-20与C-17尾舱门比较 大图 zt
2021: 【原创】从中共建党一百年谈中国和世界
2021: 清风:美帝奇怪景象,专业军人清醒而政
2020: 呵呵,小旋风还是忍不住,补了张宏良一
2020: 香头说张宏良为了颠覆,可以说一针见血
2019: 中国金融改革外资“兵临城下” 开放背后
2019: 这种无人机袭击还是很可怕的,半个沙特