安東·希洛夫（Anton Shilov）星期二，2023年9月26日，美國東部時間上午6:51

根據《南中國晨報》（SCMP）的說法，中國計劃通過利用粒子加速器來使用創新的方法來製造加工機,

從而將自己定位為高級芯片製造業的全球領導者。 SCMP表示，該方法旨在逃避傳統的光刻機器限制和

美國對EUV技術的制裁，從而有可能重塑半導體行業的格局。

由Tsinghua University領導的中國研究團隊正在使用粒子加速器開發獨特的激光源。 他們的目標是

避開在微芯片生產中至關重要的傳統光刻機器的限制。 所提出的粒子加速器將大約是兩個籃球場的大

小，在100-150米之間，並將作為芯片製造的高質量光源。

來自斯坦福大學的趙吳教授推出了基礎技術，稱為穩態微鍵量（SSMB）。 SSMB捕獲加速過程中帶電顆

粒發出的能量，將其轉化為連續的，純淨的光源。 與普遍的ASML EUV方法相比，SSMB具有卓越的功率

和效率，可能會降低芯片生產成本。

團隊成員Pan Zhilong在2022年1月的一次學術研討會上的演講中說：“ SSMB-EUV光源在THU設計，

設計的EUV功率高於1kW，並且一些關鍵技術已經準備就緒。”

SSMB
這個雄心勃勃的項目與ASML等公司的策略形成鮮明對比，ASML的策略着重於將芯片製造機微型化。 取

而代之的是，中國的願景涉及創建一個巨大的工廠，該工廠設有幾台光刻機器，所有工廠都以一個促

進劑為中心。 該設計旨在實現競爭性製造工藝（例如2NM及以後），該過程將用於製造高性能芯片,

而無需使用傳統的Extremulviolet（EUV）光刻掃描儀。

Tsinghua University的項目負責人Tang Chuanxiang說：“作為一種全新的光源，已經實施了該技

術的實驗驗證。但是，有必要在EUV頻段中構建SSMB光源研究設備。”然後，我們可以（使用該設備）培養科學和工業用戶，並實施SSMB技術。”

根據該報告，Tsinghua大學的團隊在該領域取得了長足的進步。 該報告稱，他們已經成功地試用了該

技術，現在正在為該項目的建設選擇地點。 他們的成就可以為中國繞過潛在的未來制裁併成為半導體

強國鋪平道路。

但是，實現基於SSMB的EUV光刻機器的旅程仍然漫長而挑戰。 Tang Chuanxiang教授負責該項目，並

強調需要在行業之間進行連續創新和協作以開發功能光刻系統。

唐說：“在我們獨立開發EUV光刻機器之前，還有很長的路要走，但是基於SSMB的EUV光源為我們提供

了批准技術的替代方案。” “它需要基於SSMB EUV光源並與上游和下遊行業的合作來建立可用的光刻

系統的連續技術創新。”