昨日，北京耐威科技股份有限公司(以下简称“公司”)发布公告，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件，于2019年9月10日正式投产。聚能晶源 于同日举办了“8 英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。据介绍，聚能晶源位于青岛市即墨区，主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延 材料的设计、开发和生产。本项目已投资 5,200 万元人民币，设计产能为年产 1 万片 GaN 外延晶圆，既可生产提供标准结构的 GaN 外延晶圆，也可根据客户需求 开发、量产定制化外延晶圆。本项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开 拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司 GaN 功率与微波器件设计开发业务的 发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。
而在9月8日，重庆大足区人民政府官网也宣布，西部地区首个氮化镓外延片工厂聚力成成功试产的第三代半导体产品——氮化镓外延片。
官网资料显示，聚力成半导体有限公司(GLC)，团队由国內外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在採用GaN核心技術以实现电力电子與射頻领域的高速革命。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现了这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
数据显示，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂计划建成年产能24万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。
目前，国内已有多家企业布局氮化镓产业，除了聚力成半导体外和奶味外，另外还有江苏能华、英诺赛科、三安集成、江苏华功、大连芯冠和海威华芯等，其中英诺赛科的8英寸Si基GaN生产线已经相继开始启用。早前他们的苏州工厂也顺利封顶。
国产GaN正式掀起了一个新时代，但笔者认为，只有技术过硬，能拿出产品的公司，才会是这波潮流的最终胜利者。
