首先，苏联电子产业落后的第一步是走了锗半导体的道路。锗跟硅一样也是四价元素，也具有半导体特性，当年据传斯大林一句“不走资本主义的硅半导体道路”，因此苏联专家钻研锗半导体技术，然而锗半导体PN结的反向漏电流大，还有就是锗的资源远远不如硅普遍廉价，加上锗更活泼，和介电材料界面容易发生氧化还原反应从而产生缺陷，因此锗半导体的道路没能走到成熟大规模应用。苏联跌了一个跟头。

第二，电子管并非是抗干扰，而是相比较半导体更加抗电磁脉冲，浪涌冲击。仅仅是因为电子管的物理体积大，阴极和阳极，以及阴极到阳极的距离都是毫米以上的尺寸，自然比硅半导体的微米级别结构更加抗大电流冲击。因此当大当量的氢弹的电磁浪涌冲击效用下，苏联又选择了电子管小型化的道路。

以上两点是苏联在半导体落后的主要因素，落后了，西方的技术封锁才起作用。要说核技术更关键，也封锁的更严，没看见说苏联就造不出核武器了。