近年来EUV进度比较卡，所以只能对原有的成熟的193nm沉浸式光刻机技术拼命挖潜。从双重曝光到三重、四重，最近我甚至看到还要搞五重的。 多重图形曝光的原理类似套印，它把要刻的图形分成几部分，第一版的图形光刻完了蚀刻，当然线路的间隔是较大的，超不过机器的分辨率；第二版重复上述程序，只是其图形套刻在第一版的间隙中。。。 这当然也不容易，两版间的位置误差要极小，而且每次要清洗得很干净。即使能做到，它也是很费时间和成本极高的。 以前通常认为193nm沉浸式光刻机顶多做到十几nm，但靠了如此多次的重复曝光，现在它确实可以做到10nm以内，只是慢和贵。 但我们要注意，这毕竟不是靠机器本身的性能达到的。所以要说光刻机的水平，还是得看它单次曝光所能达到的精度。我们这个单次曝光就能达到22nm的水平是极高的，结合多重曝光技术的话，做10nm以内的产品很容易。