同为中电集团下属14所生产的KLJ-7A相控阵雷达，安装有多达1000多个T/R组件

作为专门负责T/R组件研发的单位，五十五所在突破了砷化镓T/R组建之后就马不停蹄的继续为中国国防工业研发了氮化镓T/R组件。然而由于材料特性等原因，作为新生事物氮化镓T/R组件会出现一些原先所没有遇到过的问题。除了采用金刚石作为衬底材料来改善热传导性能，降低组件功耗之外，三维GaN FinFET的应用可以说是另辟蹊径。

在当前半导体行业开始推进各种三维结构芯片的潮流下，引入三维结构，将GaN二维器件改进成三维结构，可以说是一大创新。简单的说，一样的功耗，体积的T/R组件，将能提供出更精确的雷达波形和更高的射频功率，在不增加外部能耗需求的情况下，进一步提高雷达基本性能。