消息人士透露，虽然比原计划推迟了2年，但是目前进展已经顺利。
大家都知道，所谓的0贰砖项的GKJ，就是28nm制程节点的GKJ。按照项目目标规定，该GKJ只能用于28nm节点，无法通过多重曝光应用于14nm节点。
虽然都是采用duv光源的浸润式原理的机器，但是14nm比28nm的机器的各项精度都要提升，其中最重要的技术难点就是GKJ内部测量的定位精度要大幅提高，因此14nmGKJ的内部测量仪器就必须从28nmGKJ的多轴激光干涉仪，升级为平面光栅激光干涉仪，只有这样才能满足掩模工件台、硅片双工件台和投影物镜之间复杂的相对位置、姿态测量需求，保证光刻机的整体套刻精度。
2023年之前，这个平面光栅激光干涉仪没有搞定，所以GKJ也就是28nm节点适用，无法更进一步提升至14nm，要等下一代改进版才行，不过，幸运的是哈工大这块去年底搞定了，原本全球GKJ巨头们都必须依赖英国和美国的平面光栅激光干涉仪，但是现在中国的光刻机不再需要了。
消息人士透露：“哈工大的这个激光干涉仪已应用在350nm至28nm的所有国产GKJ上了。”
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新鲜出炉的平面光栅（极其昂贵）图：

华卓原本计划是用多轴激光干涉仪来实现符合28nm精度的双工件台，因为ASML在28nm节点的机器就是如此，到了14nm节点的时候ASML才转换到了平面光栅，可是华卓没有如同ASML那样顺利搞定，而是卡在这里相当长一段时间，华卓感觉难度很大，虽然也能最终搞定，但是必须比原计划大大的推迟了。
有了这个平面光栅，就解决了华卓的燃眉之急。
顺便也提升了双工件台和整个机器的精度，“使得目前这个28nm节点浸润式DUV光KJ，可以通过双重曝光支持14nm制程”——消息人士透露。
“那么，这台28nm节点的机器今年（2023）下半年量产后是否可以通过双重曝光生产14nm芯片呢？”
“是的”——消息人士回答。

双工件台图（65nm干式量产型机器）：

昨晚喝酒，元婴大师说国产28nm光刻机的芯片制造合格率目前是40-45%左右，在研激光干涉仪今年会出来性能指标大概是2m/s和0.1nm高分辨率，如果成功，成品率将提高到85-90%以上，并且可以国产化7nm芯片，【金光洞主】2023-02-07 11:31:01'<无内容>[137]

光刻胶、高纯度氟化氢我们能不能自产？【我是好猫】2023-02-07 11:37:06'<无内容>[3]
euv和duv光刻胶都没有，非常头疼。氟化氢可大批供货。【金光洞主】2023-02-07 11:38:39'<无内容>[3]
   南大广电不是出了光刻胶了么【独自茄番】2023-02-07 11:46:31'<无内容>[4]
   暂时没法用。去年上海封闭三个月，海关首保就是从日本运光刻胶，全程绿灯。【金光洞主】2023-02-07 11:50:45'<无内容>[2]
      关注南大广电什么时候开始涨就是弄好了。本穷把他列入自选里。【梅十金】2023-02-07 12:23:06'<无内容>[2]

只是说这个激光干涉仪的测量精度能支持7nm制程所需要的测量精度吧？主光源不彻底更新，就能从28nm进化到7nm制程？【问题一箩筐】2023-02-07 11:35:56'<无内容>[5]
     duv光源本来就不是问题啊【Ramanujan】2023-02-07 11:50:19'55字节[72]
         国产ArF激光器仅仅是摸到堪用的门槛而已【大夫我没病】2023-02-07 12:11:50'<无内容>[0]
     光源6年前就没有问题了【金光洞主】2023-02-07 11:37:12'<无内容>[3]