国产芯片设备的真实情况，基本能判断了，短中期情况很不乐观。主要问题还不是光刻机，而是其它环节
1. 随着美国制裁破坏的动作不断发展，舆论对芯片生产的认识逐渐深入。现在大家基本不信这突破封锁、那攻关完成，都知道关键是芯片制造设备。但还是不知道情况细节，一般就在那猛扯光刻机。
2. 其实构建国产芯片生产线，光刻机真是相对好办的环节，因为还是从ASML买到了很多，市场上也有二手的。甚至SMEE的浸润式光刻机应该也出来了，只是良率还不行，在改进。
3. 真正的问题，是整体上芯片设备市场中国占比太低。国外分析报告直接说了，份额太小忽略不计。中国自己的估计，即使强行照顾本土设备商，产线国产化率也低得可怕，也就25%算不错了。
4.
在前道光刻机环节，SMEE的没有应用案例，先忽略不考虑。其它几个重要环节是薄膜沉积、刻蚀、精密检测、涂胶显影、离子注入，还有一个图中没有提的，光罩（光刻就是把光罩的图案打到硅片上，光罩也很复杂）。中国设备商都在搞，但是差距都很大，不是市场份额的问题，而是就直接强上国产设备，最高的环节也只能做到50%国产化率，低的就没法说了。
5. 因此，美国芯片法案说不让搞先进芯片，其实影响没那么大，本来中国这边也等于是暂时放弃了先进芯片。但这次美国拉了荷兰日本一起搞破坏，是在成熟芯片生产环节都会捣乱了。例如中芯国际等公司的28nm扩产计划就不知道如何了，本来是要上很多条线的。
6.
最大的问题不是“无法生产芯片”，而是用一些国产设备，良率就会下降很多。不是说全用国产设备，那生产不出来。而是25%之类的国产化率，良率就下降很多，再升国产化率，还要降更多，这对厂家的运行效率影响很大。也就是说，不要只看有无，科技部门搞的验收通过是不行的，要实际好用。
7. 因此，就需要很长时间去提升国产设备的指标，这不是科技攻关的概念，而是在实际生产中反复磨合。即使下决心这么办（已经强行降低效率引入了），也需要很长时间。业界通常标准是看良率，三星和英特尔就是良率不行，光说几纳米没有用。
8.
因为芯片生产环节有1000个之多，良率提升很复杂，没有其它行业是这样的，所有环节都要做到最优。国产设备解决有无已经很困难了，但是更困难的是良率提升。目标是芯片产线设备国产化率X%的情况下，良率达到Y%，X和Y越高越好，但情况是X越高Y越低。Y如果低于80%，就是业界认为的失败，台积电是96%这样的指标。即使加上外国设备凑出生产线，良率优化也是需要水磨功夫的。我们肯定会大搞研发，但是技术规律几乎可以判断出，需要很长时间。
9.
可以判断，28nm产线国产化率不会太高25%左右，目前在把引入的国产设备磨合提升。要几年很正常，一个全部都是合格设备的产线调试都要一年以上。然后再不断引入国产设备，50%国产率，最终100%国产率。因为磨合调试实在没有捷径可走，时间会很长，五年都是很乐观的。所以基本判断，还是会依赖外国设备。摆脱依赖要2030年以后了，这是说成熟芯片，先进芯片不知道。也就是说，短中期不要指望国产芯片设备给出好消息。短中期对芯片业都不能放豪言壮语，结论就是这样，技术是没法忽悠的。总体路线还是得周旋，需要外界设备供应。
亚洲视觉科技研发总监
