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国星光电:公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作
送交者:  2021年11月25日09:14:17 于 [世界军事论坛] 发送悄悄话

国星光电:公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作

       

             

作者:

Arden

                     

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集微网

       

来源:爱集微

#国星光电#

           

3小时前

                               

集微网消息 近日,国星光电在接受投资者调研时表示,公司聚焦Mini/Micro LED超高清显示领域, 持续推出有核心竞争力的产品系列:Mini LED方面,公司研发覆盖了Mini直显P0.4到P0.9全系列产品,其中 Mini LED P0.4系列产品为全球首发,采用独创 20in1 封装方式,是目前全球封装密度最高的Mini产品;Mini背光方面,公司储备Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技术路线,可满足不同客户定制化需求。

Micro LED方面,国星光电发挥子公司国星半导体与本部上下游联动优势,巨量转移工艺取得突破性进展,产品良率高,同时国星半导体已开发了面向于P0.3间距及面向P0.1间距的Micro LED芯片系列,并实现小批量供货给国星光电研究院。

国星光电称,目前国星半导体以 RGB芯片、倒装芯片、紫光芯片等利基型产品为主,同时研发布局Mini和Micro领域,形成了Mini背光和Mini显示两大系列的芯片产品,同时发挥上下游垂直联动的优势,协同

本部研究院进行Micro LED关键技术的攻关;在第三代半导体领域,联合多所高校及研究所,发挥产学研协同优势,展开GaN功率器件、紫外探测器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研发工作,参与两项第三代半导体方向的省级研发项目。

对于第三代半导体的布局,国星光电表示,公司一直高度关注三代半领域的技术发展与技术研究,致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务。在上游芯片领域,公司有布局硅基氮化镓的外延芯片;中游封装领域,公司已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线;下游应用领域公司也在积极与相关企业洽谈战略性合作,并针对客户的应用需求定制开发样品等。

首先,LED封测转向氮化镓封测在技术上、工艺上、可靠性、能力上具有天然的优势;其次,公司下游客户也会用到第三代半导体相关功率器件,具有客户渠道协同的优势;同时,公司还具有外延芯片上的技术积累优势,子公司国星半导体有硅基氮化镓芯片相关技术储备。(校对/Lee)


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