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风华高科:GaN氮化镓半导体产品业务在研发阶段 超级电容尚未规模化生产
送交者:  2020年02月21日10:23:51 于 [世界军事论坛] 发送悄悄话

风华高科:GaN氮化镓半导体产品业务在研发阶段 超级电容尚未规模化生产

Arden·13:21·概念股 来源:                          爱集微

集微网消息 2月21日,风华高科在互动平台表示,公司GaN氮化镓半导体产品业务在研发阶段;超级电容尚未规模化生产。

射频功率放大器(PA)是射频前端发射通路的主要器件。5G基站对PA的需求数倍增长,氮化镓(GaN)材料被认为将成为主流技术。

国金证券研报称,4G基站射频PA需求量为12个,预计5G基站PA需求量高达192个,数量大幅增长。GaN能较好的适用于大规模MIMO,研判5G基站GaN射频PA将成为主流技术,逐渐侵占LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)的市场。

随着5G商用落地,风华高科陶瓷介质滤波器与MLCC将进一步迎来发展机遇。随着未来大规模天线MassiveMIMO商用,射频通道数增加,进而带动滤波器需求量提升,而新的滤波器方案的应用也有望带动产品毛利率上升。风华高科旗下子公司国华新材料掌握从陶瓷粉体,到介质谐振器到介质滤波器的全部制造工艺,技术和成本优势显著,目前已实现大批量供货。

另一方面5G通讯发展将带动MLCC需求,智能型手机是MLCC最大应用市场,同时促进各相关领域产业链的进一步升级换代,根据SEMCO展望,单部5G手机的MLCC需求量比4G手机增加20%左右,平均单支手机用量将逾千颗。资策会产业情报研究所(MIC)日前预计,5G智能型手机出货将于2021年显著成长,到2022年出货量可到3.1亿支。在需求持续加持下,风华高科近年来扩产成效将逐步显现,进一步实现突破发展。(校对/Lee)


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