要制造五纳米的芯片。的确需要euv光刻机。但是这其实不是那么必要的。中国现在已经有能力至少自己的高端duv光刻机。就是大家说的零二专项。smee现在就在突破浸入式duv。之前由于华为挖人、美国各种专利限制、光学供应商始终无法达到要求，90nm采用的是日本供应商技术。被国内一帮民粹骂的狗屎不如。现在由于asml打小报告，现在日本的供应商也没法供应了。之前由于smee整出90nm，asml在中国大陆一倒卖二手未名已基本降价，70%到80卖，smee原来的用户只有两个，一个军方，一个研究所，荷兰人深知产品如果不使用不共同发展，是不可能成功的。所以对于美国的各种限制，其实他们最急，我就遇到一个德国专门做禁片处理的公司。不是那个著名的做镜片的卡尔蔡司。他们现在最主要的客户就是asml，他说他们接触到最多的工程师其实不是asml的，大多数都是华人。其实是用户帮助了生产厂商发展起来的。   

话说回来。我们现在已经基本具备制造一个28nm浸入式光刻机的能力。简单的来说，通过多次曝光可以完成相对较高成本的7nm，甚至台积电式的5nm，因为现在谁都知道台积电的制程宣传，实际只是个产品名称，跟真实的半导体制成关系并不大。比如英特尔的10纳米其实和台积电的7nm相比较进气管密度可能会更高。所以光刻机并不是一个大问题。中国光刻机的发展最主要的限制，就是在专利，所以现在asml发现自己对美国劝说根本无效的情况下。开始发起对中国的专利战，我早就说过对于这种情况，中国应该宣布任何对中国进行禁运的技术，其专利在中国都是无效的。现在在众多关键技术上面，我相信已经在这么做了。

一个半导体其实不是只有光刻机。从晶圆制造到封测，整个过程当中有很多限制。现在中国的制造技术中，70%到80都需要进口。各类材料也是自己不能制造的。但是我们要相信其中的大多数都不在禁运清单里，中国不造，纯粹只是成本问题。比如电子气，还有很多，其实就是knowhow积累实在太少。但是现在在美国的帮助下，已经有长足进步。比如eda，恰恰是光刻机，这种东西美国才不会对你全面禁运。因为中国的技术已经很先进了。

话说回来，现在中国的军用芯片已经全面国产化。28nm不受任何限制的生产也会在一年内实现。所以说五到七纳米以上的芯片在两年内对中国的限制，是没有任何意义的。但更要命的，不是这里，而是心仪的半导体的出现。虽然传统第三代半导体已经在功率高压等方面已经获得长足的进步。但如果类似于像石墨稀等完全颠覆式的技术。可以真正的从工程方面应用起来。那么等下制成将直接扩大30倍，也就是100纳米期效率和热和现在的手机芯片差不多。同时，新的制造技术也在流行。比如nif这些才是中国现在要迎头赶上的。还好，中国在激光技术上比较先进。所以芯片制造是要花很多钱，但是关键的地方是在与在卡脖子的地方一定要卡位。即便这已经是落后的技术。现在对于中国来说，找什么东西并不难，最关键的是成本。