[据今日半导体网站2014年7月1日报道]  在欧洲防务局（EDA）领导下，由欧洲多国联合开展的“可制造的基于碳化硅衬底的氮化镓器件和氮化镓外延层晶圆供应链”（MANGA）项目表示，已成功为欧洲氮化镓基功率电子器件的实现建立了供应链。

以优化氮化镓基功率电子器件研发和制造技术为目标，来自德国、法国、意大利、瑞典和英国五个欧洲国家的研究机构、大学和国防企业已在过去四年中、在不依赖国际供应商的情况下，共同研制出高质量氮化镓基电子器件。由于氮化镓材料所具有的高效和高稳健性，氮化镓基功率电子器件已在雷达和宽带放大器领域替代现有技术。

随着高效器件在电子防御和作战系统中应用的日益普遍，欧洲国防工业对功率电子器件可靠供应的需求不断上升。氮化镓器件技术至关重要，可为从先进雷达、通信天线到电子战等系列国防应用提供重要支撑。

该项目的合作方表示，为实现军事应用所需的氮化镓基电子器件的独立生产，需要在欧洲境内建立完整的供应链，包括有可用的氮化镓外延生长用碳化硅衬底，以及高电子迁移率晶体管（HEMT）的工业化生产。在该项目研究范畴内，氮化镓基晶体管层是外延生长在新研发的碳化硅衬底上。通过采用已有的代工工艺，这些晶体管层用于制造完全欧洲产的HEMT。碳化硅衬底的质量和HEMT的性能均可与美国制造的对应器件相媲美。

在今后的项目中，欧洲防务局的目标是进一步降低欧洲国防工业对国际贸易规则的依赖。在已经实现了满足军用需求的先进晶体管的独立研发和生产后，项目合作者希望能进一步改进器件可靠性和晶体管的材料质量。参与MANGA项目的大学主要研究层结构中各种变量对器件性能的影响，其研究结果将帮助进一步优化HEMT技术。在后续项目，项目参与者希望能获得工业级HEMT外延层供应商资格。(